Microwave heating processes involving carbon materials

[EN] Carbon materials are, in general, very good absorbents of microwaves, i.e., they are easily heated by microwave radiation. This characteristic allows them to be transformed by microwave heating, giving rise to new carbons with tailored properties, to be used as microwave receptors, in order to heat other materials indirectly, or to act as a catalyst and microwave receptor in different heterogeneous reactions. In recent years, the number of processes that combine the use of carbons and microwave heating instead of other methods based on conventional heating has increased. In this paper some of the microwave-assisted processes in which carbon materials are produced, transformed or used in thermal treatments (generally, as microwave absorbers and catalysts) are reviewed and the main achievements of this technique are compared with those obtained by means of conventional (non microwave-assisted) methods in similar conditions.B.F., Y.F and L.Z. are grateful to CSIC of Spain and the European Social Fund (ESF) for financial support under thesis grant I3P-BDP-2006. Financial support from the PCTI-Asturias (Project PEST08-03) is also acknowledgedPeer reviewe

Prevalencia del maltrato de pareja contra las mujeres

Se ha elaborado una tipología del maltrato y una encuesta inspirándonos en los planteamientos de Goffman (1971) y en los conceptos de cara positiva y cara negativa de Brown y Levinson (1987), sistematizados por Kerbrat-Orecchioni (1992). Se ha realizado un muestreo estratificado según la zona de residencia sobre una población de unas 450.000 mujeres y se entrevistó a 421 mujeres sobre sus experiencias respecto al maltrato en parejas. Los resultados del estudio indican que el 20,2% de la población femenina ha sufrido maltratos a manos de su pareja y que el 6,2% de las mujeres han sufrido maltrato durante el último año

A growth method to obtain flat and relaxed In0.2Ga0.8As on GaAs (0 0 1) developed through in situ monitoring of surface topography and stress evolution

13 páginas, 3 figuras.-- PACS: 81.15.Hi, 81.05.Ea, 78.35.+c, 68.35.Bs.-- Comunicación oral presentada en el XI Molecular Beam Epitaxy (MBE-XI), Pekín (11/09/2000).In this paper we develop a growth process for obtaining flat and relaxed In0.2Ga0.8As layers on GaAs (0 0 1). The process designed is based on the results obtained by in situ and real time characterization of surface morphology and layer relaxation. In particular, our results show that for growth temperatures Ts200°C the relaxation of In0.2Ga0.8As layers is inhibited and the morphology does not evolve to a crosshatched pattern. After growth thermal treatments of these low-temperature (LT) In0.2Ga0.8As layers induce the development of a very faint (rms=0.5 nm) crosshatched-like morphology. The relaxation process during the thermal annealing is strongly asymmetric and the layers present a high final strain state. By growing on top of the LT layer another In0.2Ga0.8As layer at higher temperature, relaxation is increased up to R≈70% and becomes symmetric. Depending on the growth process of the top layers morphology evolution differs, resulting in better morphologies for top layers grown by atomic layer molecular beam epitaxy (ALMBE) at Ts=400°C. We have obtained 400 nm In0.2Ga0.8As layers with a final degree of relaxation R=70% and very flat surfaces (rms=0.9 nm).The authors wish to acknowledge the Spanish “CICYT” for financial support under Project No. TIC99-1035-C02. M.U. González and M. Calleja thank the Consejería de Educación y Cultura de la Comunidad de Madrid for financial support.Peer reviewe

Strain driven migration of In during the growth of InAs/GaAs quantum posts

Using the mechano-optical stress sensor technique, we observe a counter-intuitive reduction of the compressive stress when InAs is deposited on GaAs (001) during the growth of quantum posts. Through modelling of the strain fields, we find that such anomalous behaviour can be related to the strain-driven detachment of In atoms from the crystal and their surface diffusion towards the self-assembled nanostructures.We acknowledge the financial support by Spanish MINECO through Grant Nos. ENE2012-37804-C02-02 and TEC2011-29120-C05-04, and by Spanish CAM through Grant Nos. S2009/ESP-1503 and S2009/ENE-1477.Peer Reviewe

Relación entre el estreñimiento y la calidad de vida de las personas en tratamiento renal sustitutivo con hemodiálisis

Introducción: El estreñimiento es un problema frecuente en pacientes en hemodiálisis, asociado, entre otros aspectos a comorbilidad, polimedicación y restricciones hídricas y dietéticas, pudiendo llegar a afectar la calidad de vida. Objetivos: Analizar la relación del estreñimiento en la calidad de vida de pacientes en hemodiálisis, determinar la prevalencia del estreñimiento objetivo y subjetivo, y analizar las variables más influyentes. Material y Método: Estudio observacional descriptivo transversal en una unidad de hemodiálisis hospitalaria. Se emplearon los Criterios Diagnósticos Roma IV (2016) y escala visual Bristol para evaluar el estreñimiento. Para evaluar la calidad de vida, el cuestionario CVE-20. Resultados: Se estudiaron 38 pacientes (58% hombres) con una edad media de 68,69±12,76 años, tiempo en hemodiálisis de 44±37,19 meses y el 31,57% eran sedentarios. La ingesta hídrica diaria fue de 1004,05±460,13 ml y diuresis 658,11±696,47 ml. El índice de Charlson fue 8,15±2,29 puntos. El 45% presentaron estreñimiento subjetivo y 42% objetivo. Los pacientes con estreñimiento fueron: 56% mujeres, con edad media de 67,81±14,88 años y tiempo en hemodiálisis de 40,06±32,97 meses; 12% tenían pautados opioides, 44% quelantes del fósforo, 56% hierro intravenoso y 25% laxantes. La calidad de vida fue inferior en los pacientes estreñidos (53,06 vs 69,62 puntos); existiendo diferencias significativas en todas las dimensiones del cuestionario. Conclusiones: En los pacientes en hemodiálisis existe una importante prevalencia de estreñimiento, siendo más prevalente en mujeres. Este estreñimiento está asociado a peor percepción de la calidad de vida

Formation and emission properties of single InGaAs/GaAs quantum dots and pairs grown by droplet epitaxy

Trabajo presentado a la 30th International Conference on the Physics of Semiconductors, celebrada en Seul (Korea) del 25 al 30 de Julio de 2010.The emission properties of lateral and vertical QD pairs grown on GaAs nanoholes are investigated. Vertical QD pairs with different size asymmetry have been fabricated controlling the bottom QD size independently of the areal density. The emission of individual pairs is dominated by spectral diffusion effects and charge instabilities induced by the local charge environment. Lateral QD pairs have been fabricated on GaAs nanoholes and studied as a function of an electric field applied in the growth plane.Peer Reviewe

Curso abierto de ayuda para la elaboración del Trabajo Fin de Grado en los Grados en Química e Ingeniería Química

Este proyecto llevará a cabo el desarrollo de un curso abierto que sirva a los estudiantes como guía de ayuda a la hora de elaborar su Trabajo Fin de Grado (TFG) en los Grados de Química e Ingeniería Química. Se incluirá una descripción de herramientas que los estudiantes puedan emplear en el desarrollo de sus TFG. Éstas serán seleccionadas de acuerdo con la experiencia de los miembros del Grupo y en función de las necesidades de los estudiantes. El curso resultante se editará para libre acceso a través del portal iTunes U, de ámbito internacional, convirtiéndose en el primer curso UCM ofertado en esta plataforma (tras consulta y aprobación del Vicerrectorado de Innovación; de no ser así, se alojará en alguna otra plataforma de amplia difusión). Se aprovechará la accesibilidad ofertada a los estudiantes por iTunes U para poner a su disposición el material elaborado logrando una gran difusión, incrementándose la visibilidad internacional de la UCM. El material de ayuda elaborado para el curso se presentará tanto en español como en inglés, para facilitar su uso por alumnos visitantes de la UCM, favoreciendo la movilidad de los estudiantes en el marco del EEES. Este material también se adaptará para poder ser empleado de forma directa, totalmente o en forma de módulos, en el Campus Virtual UCM

Stress compensation by GaP monolayers for stacked InAs/GaAs quantum dots solar cells

Trabajo presentado en el 33rd IEEE Photovoltaic Specialists Conference, celebrado en San Diego, CA (Estados Unidos), del 11 al 16 de mayo de 2008In this work we report the stacking of 10 and 50 InAs quantum dots layers using 2 monolayers of GaP for stress compensation and a stack period of 18 nm on GaAs (001) substrates. Very good structural and optical quality is found in both samples. Vertical alignment of the dots is observed by transmission electron microscopy suggesting the existence of residual stress around them. Photocurrent measurements show light absorption up to 1.2 µm in the nanostructures together with a reduction in the blue response of the device. As a result of the phosphorus incorporation in the barriers, a very high thermal activation energy (431 meV) has also been obtained for the quantum dot emission.The authors gratefully acknowledge financial support by the Spanish MEC and CAM through projects 200560M089, S-05050/ENE-0310, TEC-2005-05781-C03- 01 and -02, Consolider-Ingenio 2010 CSD2006-0004, the Junta de Andalucia (project TEP383, group TEP120) and by the European Commission through the SANDIE Network of Excellence (NMP4-CT-2004-500101).Peer reviewe

Quid est liber: Proyecto de innovación para la docencia en Libro Antiguo y Patrimonio Bibliográfico

Fac. de Ciencias de la DocumentaciónFALSEsubmitte